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리사 수 AMD 회장, 삼성·SK 반도체 수장 만난다…AI 협력 확대 [경제일보] 리사 수 AMD 회장 겸 최고경영자(CEO)가 삼성전자와 SK하이닉스 수장을 잇달아 만나 인공지능(AI) 반도체 협력 확대에 나선다. 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 국내 반도체 기업과의 협력 범위를 넓힐지 관심이 모인다. 7일 업계에 따르면 수 회장은 이날 오후 서울 강남구 삼성전자 서초사옥에서 전영현 삼성전자 대표이사 겸 디바이스솔루션(DS)부문장 부회장을 비롯한 주요 경영진과 회동한다. 앞서 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장과도 회동한 것으로 알려졌다. 삼성전자와는 이미 HBM을 중심으로 협력 관계를 구축하고 있다. 삼성전자는 AMD의 최신 AI 가속기에 HBM3E(5세대)와 HBM4(6세대)를 공급하고 있으며 AMD는 차세대 AI 가속기 ‘인스팅트 MI455X’에 탑재할 HBM4의 우선 공급업체로 삼성전자를 지정했다. 약 7개월 만에 다시 성사되는 삼성전자와의 회동에서는 기존 HBM 공급을 비롯한 AI 반도체 협력 확대 방안이 논의될 전망이다. AMD가 AI 가속기 물량 확대 필요성을 여러 차례 언급한 만큼 삼성전자의 최선단 공정을 활용한 파운드리(반도체 위탁생산) 협력 가능성도 제기된다. 삼성전자 파운드리가 AMD를 고객사로 확보할 경우 대형 고객 기반을 넓히고 실적 개선에도 힘을 받을 수 있다. 수 회장은 지난 3월 첫 방한 당시에도 삼성전자 경영진과 협력 방안을 논의했다. 전 부회장과 한진만 삼성전자 파운드리사업부장 사장 등과 평택캠퍼스 생산라인을 둘러본 뒤 서울 한남동 승지원에서 이재용 삼성전자 회장과 만찬을 가졌다. SK하이닉스와는 새로운 협력 가능성이 거론된다. 수 회장과 곽 사장이 한국에서 만난 것은 이번이 처음인 것으로 전해졌다. AI 가속기 수요가 증가하는 가운데 HBM4를 포함한 고성능 메모리 분야에서 양사가 협력 관계를 구축할지 주목된다.2026-10-07 17:12:36
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삼성전자, HBM5 첫 공개…발열 잡고 성능 높인다 [경제일보] 글로벌 반도체 기업 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 실물 모형을 처음 공개하며 AI 메모리 주도권 경쟁에 본격 나섰다. 자체 파운드리 공정과 첨단 패키징 기술을 결합한 차세대 HBM 로드맵을 공개하면서 AI 반도체 토털 솔루션 기업으로의 경쟁력을 강조했다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)는 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 현장에서 기자들과 만나 "AI 산업이 빠르게 성장하면서 메모리뿐 아니라 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 통합 경쟁력이 중요해지고 있다"고 했다. 삼성전자는 이번 전시에서 8세대 HBM인 HBM5 목업(Mock-up)을 처음 공개했다. HBM5에는 차세대 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 구조가 최초 적용될 예정이다. HPB는 고성능 AI 메모리 구동 과정에서 발생하는 발열을 효과적으로 분산시키기 위한 기술이다. 메모리 적층 구조 내부에 별도의 열 전달 경로를 구축해 열 저항을 낮추고 안정성을 높이는 방식이다. 삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 검증을 완료했으며 향후 HBM5부터 본격 적용할 계획이다. 송 CTO는 "일종의 굴뚝 역할을 하는 열 전달 구조를 추가해 발열을 효율적으로 제어할 수 있도록 설계했다"며 "고대역폭·고집적 AI 시스템 환경에서 성능과 에너지 효율을 높이는 핵심 기술이 될 것"이라고 했다. HBM5에는 삼성전자 파운드리 사업부의 2나노 공정으로 제작한 베이스 다이도 적용될 예정이다. 메모리와 파운드리 역량을 결합해 차세대 AI 반도체 경쟁력을 강화하겠다는 전략이다. 삼성전자는 이와 함께 최근 업계 최초로 고객사 샘플 출하를 시작한 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 전시했다. HBM4E는 최선단 1c D램 공정 기반 코어 다이와 자체 4나노 파운드리 공정 베이스 다이를 결합한 제품이다. 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s급 대역폭 구현이 가능하다. 업계에서는 삼성전자가 HBM4E 양산과 HBM5 개발 계획을 동시에 공개하면서 SK하이닉스와 마이크론이 주도하고 있는 AI 메모리 시장에서 기술 경쟁력 회복에 속도를 내고 있다는 분석이 나온다.2026-06-02 13:29:09
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