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삼성전자, HBM5 첫 공개…발열 잡고 성능 높인다 [경제일보] 글로벌 반도체 기업 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 실물 모형을 처음 공개하며 AI 메모리 주도권 경쟁에 본격 나섰다. 자체 파운드리 공정과 첨단 패키징 기술을 결합한 차세대 HBM 로드맵을 공개하면서 AI 반도체 토털 솔루션 기업으로의 경쟁력을 강조했다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)는 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 현장에서 기자들과 만나 "AI 산업이 빠르게 성장하면서 메모리뿐 아니라 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 통합 경쟁력이 중요해지고 있다"고 했다. 삼성전자는 이번 전시에서 8세대 HBM인 HBM5 목업(Mock-up)을 처음 공개했다. HBM5에는 차세대 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 구조가 최초 적용될 예정이다. HPB는 고성능 AI 메모리 구동 과정에서 발생하는 발열을 효과적으로 분산시키기 위한 기술이다. 메모리 적층 구조 내부에 별도의 열 전달 경로를 구축해 열 저항을 낮추고 안정성을 높이는 방식이다. 삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 검증을 완료했으며 향후 HBM5부터 본격 적용할 계획이다. 송 CTO는 "일종의 굴뚝 역할을 하는 열 전달 구조를 추가해 발열을 효율적으로 제어할 수 있도록 설계했다"며 "고대역폭·고집적 AI 시스템 환경에서 성능과 에너지 효율을 높이는 핵심 기술이 될 것"이라고 했다. HBM5에는 삼성전자 파운드리 사업부의 2나노 공정으로 제작한 베이스 다이도 적용될 예정이다. 메모리와 파운드리 역량을 결합해 차세대 AI 반도체 경쟁력을 강화하겠다는 전략이다. 삼성전자는 이와 함께 최근 업계 최초로 고객사 샘플 출하를 시작한 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 전시했다. HBM4E는 최선단 1c D램 공정 기반 코어 다이와 자체 4나노 파운드리 공정 베이스 다이를 결합한 제품이다. 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s급 대역폭 구현이 가능하다. 업계에서는 삼성전자가 HBM4E 양산과 HBM5 개발 계획을 동시에 공개하면서 SK하이닉스와 마이크론이 주도하고 있는 AI 메모리 시장에서 기술 경쟁력 회복에 속도를 내고 있다는 분석이 나온다.2026-06-02 13:29:09
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삼성전자, 설 이후 HBM4 세계 첫 양산 출하…차세대 주도권 선점 [이코노믹데일리] 삼성전자가 인공지능 반도체 시장의 판도를 바꿀 것이라 평가받는 차세대 고대역폭 메모리 HBM4를 설 연휴 이후 세계 최초로 양산 출하한다. 이전 세대 제품에서의 부진으로 불거졌던 반도체 사업 위기설을 털어내고 차세대 HBM 시장에서 선제적으로 주도권을 확보하겠다는 전략으로 풀이된다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시점을 설 연휴 직후로 확정했으며 이르면 이달 셋째 주부터 본격적인 공급에 나설 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자는 엔비디아의 품질 검증을 통과해 구매주문을 확보했으며 HBM4가 탑재될 엔비디아 차세대 AI 가속기의 출시 일정 등을 종합적으로 고려해 출하 시점을 결정한 것으로 전해졌다. 엔비디아는 다음 달 열리는 자사 기술 콘퍼런스 'GTC 2026'에서 삼성전자 HBM4를 적용한 차세대 AI 가속기를 처음 공개할 전망이다. HBM4의 양산 출하는 이번이 전 세계에서 처음이다. 성능 측면에서도 삼성전자 HBM4는 현존 최고 수준으로 평가받고 있다. 삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체표준협의기구의 기준을 뛰어넘는 성능 구현을 목표로 설정했고 이를 위해 '1c D램 공정'과 '4나노 파운드리 공정'을 동시에 적용하는 전략을 택했다. 이번 공정을 적용한 HBM4의 데이터 처리 속도는 표준 기준인 8Gbps를 넘어 최대 11.7Gbps에 이를 수 있도록 설계됐다. 이는 표준 대비 약 37%, 이전 세대인 HBM3E 대비 22% 이상 높은 수치다. 단일 스택 기준 메모리 대역폭 역시 전작보다 2.4배 향상된 최대 3TB/s 수준이며 12단 적층을 통해 최대 36GB의 용량을 제공한다. 향후 16단 적층 기술을 적용할 경우 최대 48GB까지 확장이 가능할 것으로 알려졌다. 고성능 연산을 지원하면서도 저전력 설계를 통해 서버와 데이터센터의 전력 소비 및 냉각 비용을 크게 줄일 수 있다는 점이 특징이다. 삼성전자는 올해 HBM 판매량이 전년 대비 3배 이상 늘어날 것으로 보고 있으며 생산 능력 확대를 위해 평택캠퍼스 4공장에 신규 라인을 구축할 것으로 알려졌다. 최선단 공정을 적용한 상황에서도 안정적인 수율을 확보해 양산에 돌입했고 향후 생산 확대와 함께 수율은 더욱 개선될 것으로 전망된다. 삼성전자는 전체 메모리 시장 상황을 면밀히 검토해 HBM4 생산 계획을 탄력적으로 운용할 방침이다. HBM을 포함한 메모리 전반의 가격이 상승 중에 세계 최대 수준의 생산 능력을 효율적으로 배분해 활용하겠다는 구상이다.2026-02-08 14:19:50
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