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삼성전자, 차세대 HBM4E 샘플 공급 개시…AI 반도체 '다음 승부처' 선점 [경제일보] 국내 대표 기업 삼성전자가 차세대 AI(인공지능) 메모리 시장 공략을 위해 HBM4E(고대역폭메모리) 샘플 공급에 나섰다. 세계 최초 HBM4 양산에 이어 차세대 제품까지 선제적으로 공급하며 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 글로벌 고객사에 'HBM4E 12단' 샘플 공급을 시작했다고 29일 밝혔다. HBM4E는 차세대 AI 가속기와 대규모 언어모델(LLM) 구동을 위한 고성능 메모리다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산을 시작한 데 이어 이번 HBM4E 샘플 공급까지 진행하며 차세대 HBM 제품군 확대에 나섰다. 이번 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 성능을 높인 것이 특징이다. 핀(Pin)당 동작 속도는 최대 16Gbps로 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 수준의 데이터 처리 대역폭도 제공한다. 용량 역시 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트) 용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 늘어난 수준이다. 삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다. 업계에서는 최근 생성형 AI 시장 확대와 AI 데이터센터 투자 증가로 고성능 HBM 수요가 빠르게 늘어나는 상황에서 HBM4와 HBM4E가 차세대 AI 반도체 시장 핵심 메모리로 자리 잡을 것으로 보고 있다. 특히 AI 모델 규모가 커질수록 데이터 처리 속도와 용량 확보 중요성이 높아지면서 차세대 HBM 경쟁도 더욱 치열해지는 분위기다. 삼성전자는 이번 HBM4E에 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용했다. 이를 통해 성능뿐 아니라 수율과 양산성 확보에도 주력했다는 설명이다. 전력 효율과 발열 특성도 개선했다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 향상시켰다고 밝혔다. AI 데이터센터 운영 과정에서 중요성이 커지고 있는 전력 효율과 발열 관리 경쟁력을 강화했다는 평가다. 업계에서는 삼성전자가 △메모리 △파운드리 △시스템LSI △첨단 패키징까지 아우르는 반도체 밸류체인을 기반으로 AI 메모리 시장 경쟁력을 높이고 있다는 분석도 나온다. 특히 HBM4와 HBM4E 모두 자체 4나노 베이스 다이와 최신 D램 공정을 적용하고 있어 향후 양산 전환에도 속도를 낼 수 있을 것으로 전망된다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산 공급을 진행할 예정이다. 삼성전자 관계자는 "이번 HBM4E 샘플 공급은 고객사 수요에 맞춰 진행된 것으로 실제 고객사 평가 절차를 위한 단계"라며 "HBM은 고객사 인증과 테스트 과정에 상당한 시간이 소요되는 만큼 현재는 샘플 공급 단계이며 구체적인 양산 공급 일정은 아직 확정되지 않았다"고 말했다. 이어 "차세대 HBM 시장에서는 용량과 속도, 전력 효율 모두 중요한 경쟁 요소"라며 "고객사마다 AI 시스템 구조와 활용 목적이 다른 만큼 특정 사양 하나보다 전체적인 성능 균형과 최적화 수준이 중요하게 평가되고 있다"고 덧붙였다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 성공적으로 진행하며 차세대 AI 메모리 시장 경쟁력을 강화하고 있다"며 "앞으로도 선제적인 기술 개발과 생산 인프라 투자를 통해 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.2026-05-29 13:15:14
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11.7Gbps 속도로 HBM 패권 탈환 시동…'턴키' 앞세운 삼성 vs '동맹' 굳건한 SK [이코노믹데일리] 삼성전자가 '꿈의 메모리'로 불리는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산 출하하며 HBM 시장의 판도 변화를 예고했다. 당초 예정보다 일정을 앞당겨 설 연휴 전 제품 공급을 시작한 것은 엔비디아의 차세대 AI 칩 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 탑재될 물량을 선점해 SK하이닉스의 독주 체제를 깨뜨리겠다는 강력한 의지로 풀이된다. 13일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 전날 업계 최고 성능의 HBM4 양산 출하를 공식화했다. 이번 제품은 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준인 8Gbps를 46% 상회하는 11.7Gbps의 속도를 구현했으며 최대 13Gbps까지 확장 가능하다. 이는 경쟁사들이 아직 도달하지 못한 '초격차' 성능이다. 삼성전자가 HBM4 시장에서 기선을 제압할 수 있었던 비결은 '과감한 공정 전환'에 있다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 안정성이 검증된 10나노급 5세대(1b) D램을 사용하는 것과 달리 삼성전자는 기술 난도가 높은 10나노급 6세대(1c) D램을 전격 도입했다. 여기에 HBM의 두뇌 역할을 하는 '베이스 다이(Base Die)' 생산에 자사 파운드리 4나노 공정을 적용하는 승부수를 던졌다. SK하이닉스가 TSMC의 12나노 공정을 활용하는 것과 비교하면 삼성은 미세 공정을 통해 전력 효율과 성능을 극대화한 것이다. 황상준 삼성전자 부사장은 "기존 관행을 깨고 최선단 공정을 적용해 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족했다"고 설명했다. 이는 엔비디아가 요구하는 까다로운 스펙을 맞추기 위한 전략적 선택이었다. 엔비디아의 차세대 칩 '베라 루빈'은 전작 대비 추론 성능 5배, 학습 능력 3.5배 향상을 목표로 하고 있어 이를 뒷받침할 초고속·초대용량 메모리가 필수적이다. 삼성전자는 메모리 설계부터 생산, 패키징까지 일원화한 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 통해 공정 최적화(DTCO)를 이뤄냈고 그 결과 엔비디아의 품질 테스트를 통과한 것으로 분석된다. ◆ '안정성' SK하이닉스 vs '성능' 삼성전자… 2라운드 격돌 업계에서는 이번 삼성전자의 HBM4 조기 등판으로 HBM 시장 경쟁이 '2라운드'에 접어들었다고 평가한다. 그동안 시장을 주도해 온 SK하이닉스는 '안정성'과 '동맹'을 무기로 방어에 나선다. SK하이닉스는 검증된 1b D램과 TSMC와의 협력을 통해 수율(양품 비율)과 호환성 면에서 우위를 점하고 있다. 시장조사업체 세미애널리시스는 올해 HBM4 시장 점유율을 SK하이닉스 70%, 삼성전자 30%로 전망하며 여전히 SK의 우세를 점쳤다. 하지만 삼성전자의 추격세가 매섭다. 송재혁 삼성전자 DS부문 CTO는 "이제 삼성전자의 원래 모습을 보여드리는 것"이라며 자신감을 내비쳤다. 업계는 삼성이 HBM4 수율 안정화에 성공할 경우 엔비디아 내 점유율을 40% 수준까지 끌어올릴 수 있을 것으로 보고 있다. 특히 엔비디아가 요구 사양을 상향 조정할 경우, 스펙상 우위를 점한 삼성이 유리한 고지를 점할 수 있다는 관측도 나온다. 전문가들은 HBM4 이후 시장은 고객사의 요구에 맞춰 칩을 주문 제작하는 '커스텀 HBM' 시대로 전환될 것으로 전망한다. 이 과정에서 메모리와 파운드리, 패키징을 모두 보유한 삼성전자의 'IDM(종합반도체기업) 역량'이 핵심 경쟁력이 될 수 있다. 설계와 생산, 패키징을 각기 다른 업체가 수행할 경우 공정 간 최적화에 시간이 걸리고 비용이 증가할 수 있지만 삼성은 이를 내부에서 한 번에 해결할 수 있어 납기 단축과 비용 절감에 유리하다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 "1c D램과 4나노 공정을 적용한 삼성의 HBM4 성능이 기대치를 상회한다"며 "향후 삼성전자의 점유율 확대가 예상된다"고 분석했다. 한편 2026년 반도체 시장의 승패는 삼성전자가 HBM4의 양산 수율을 얼마나 빠르게 끌어올려 수익성을 확보하느냐 그리고 SK하이닉스가 TSMC와의 동맹을 통해 얼마나 견고한 방어막을 구축하느냐에 달려있다. 엔비디아의 '베라 루빈' 출시가 임박한 가운데 양사의 기술 전쟁은 더욱 치열해질 전망이다.2026-02-13 16:10:37
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