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11.7Gbps 속도로 HBM 패권 탈환 시동…'턴키' 앞세운 삼성 vs '동맹' 굳건한 SK [이코노믹데일리] 삼성전자가 '꿈의 메모리'로 불리는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산 출하하며 HBM 시장의 판도 변화를 예고했다. 당초 예정보다 일정을 앞당겨 설 연휴 전 제품 공급을 시작한 것은 엔비디아의 차세대 AI 칩 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 탑재될 물량을 선점해 SK하이닉스의 독주 체제를 깨뜨리겠다는 강력한 의지로 풀이된다. 13일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 전날 업계 최고 성능의 HBM4 양산 출하를 공식화했다. 이번 제품은 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준인 8Gbps를 46% 상회하는 11.7Gbps의 속도를 구현했으며 최대 13Gbps까지 확장 가능하다. 이는 경쟁사들이 아직 도달하지 못한 '초격차' 성능이다. 삼성전자가 HBM4 시장에서 기선을 제압할 수 있었던 비결은 '과감한 공정 전환'에 있다. 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 안정성이 검증된 10나노급 5세대(1b) D램을 사용하는 것과 달리 삼성전자는 기술 난도가 높은 10나노급 6세대(1c) D램을 전격 도입했다. 여기에 HBM의 두뇌 역할을 하는 '베이스 다이(Base Die)' 생산에 자사 파운드리 4나노 공정을 적용하는 승부수를 던졌다. SK하이닉스가 TSMC의 12나노 공정을 활용하는 것과 비교하면 삼성은 미세 공정을 통해 전력 효율과 성능을 극대화한 것이다. 황상준 삼성전자 부사장은 "기존 관행을 깨고 최선단 공정을 적용해 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족했다"고 설명했다. 이는 엔비디아가 요구하는 까다로운 스펙을 맞추기 위한 전략적 선택이었다. 엔비디아의 차세대 칩 '베라 루빈'은 전작 대비 추론 성능 5배, 학습 능력 3.5배 향상을 목표로 하고 있어 이를 뒷받침할 초고속·초대용량 메모리가 필수적이다. 삼성전자는 메모리 설계부터 생산, 패키징까지 일원화한 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 통해 공정 최적화(DTCO)를 이뤄냈고 그 결과 엔비디아의 품질 테스트를 통과한 것으로 분석된다. ◆ '안정성' SK하이닉스 vs '성능' 삼성전자… 2라운드 격돌 업계에서는 이번 삼성전자의 HBM4 조기 등판으로 HBM 시장 경쟁이 '2라운드'에 접어들었다고 평가한다. 그동안 시장을 주도해 온 SK하이닉스는 '안정성'과 '동맹'을 무기로 방어에 나선다. SK하이닉스는 검증된 1b D램과 TSMC와의 협력을 통해 수율(양품 비율)과 호환성 면에서 우위를 점하고 있다. 시장조사업체 세미애널리시스는 올해 HBM4 시장 점유율을 SK하이닉스 70%, 삼성전자 30%로 전망하며 여전히 SK의 우세를 점쳤다. 하지만 삼성전자의 추격세가 매섭다. 송재혁 삼성전자 DS부문 CTO는 "이제 삼성전자의 원래 모습을 보여드리는 것"이라며 자신감을 내비쳤다. 업계는 삼성이 HBM4 수율 안정화에 성공할 경우 엔비디아 내 점유율을 40% 수준까지 끌어올릴 수 있을 것으로 보고 있다. 특히 엔비디아가 요구 사양을 상향 조정할 경우, 스펙상 우위를 점한 삼성이 유리한 고지를 점할 수 있다는 관측도 나온다. 전문가들은 HBM4 이후 시장은 고객사의 요구에 맞춰 칩을 주문 제작하는 '커스텀 HBM' 시대로 전환될 것으로 전망한다. 이 과정에서 메모리와 파운드리, 패키징을 모두 보유한 삼성전자의 'IDM(종합반도체기업) 역량'이 핵심 경쟁력이 될 수 있다. 설계와 생산, 패키징을 각기 다른 업체가 수행할 경우 공정 간 최적화에 시간이 걸리고 비용이 증가할 수 있지만 삼성은 이를 내부에서 한 번에 해결할 수 있어 납기 단축과 비용 절감에 유리하다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 "1c D램과 4나노 공정을 적용한 삼성의 HBM4 성능이 기대치를 상회한다"며 "향후 삼성전자의 점유율 확대가 예상된다"고 분석했다. 한편 2026년 반도체 시장의 승패는 삼성전자가 HBM4의 양산 수율을 얼마나 빠르게 끌어올려 수익성을 확보하느냐 그리고 SK하이닉스가 TSMC와의 동맹을 통해 얼마나 견고한 방어막을 구축하느냐에 달려있다. 엔비디아의 '베라 루빈' 출시가 임박한 가운데 양사의 기술 전쟁은 더욱 치열해질 전망이다.2026-02-13 16:10:37
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삼성전자, '최고 성능' HBM4 세계 최초 양산 출하…'반도체 왕좌' 탈환 신호탄 [이코노믹데일리] 삼성전자가 꿈의 메모리로 불리는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 세계 최초로 양산해 고객사에 출하했다. HBM3E(5세대) 시장에서 경쟁사에 밀려 자존심을 구겼던 삼성전자가 압도적인 기술력을 앞세워 6세대 시장 선점에 성공하며 '반도체 왕좌' 탈환에 시동을 걸었다는 평가다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 업계 최고 성능을 갖춘 HBM4 제품의 양산 출하를 시작했다. 이번에 출하된 HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 등에 탑재될 것으로 전망된다. ◆ 송재혁 사장 "기술은 최고…삼성 본연의 모습 보여줄 것" 이번 양산 출하는 전날 예고된 자신감의 결과물이다. 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 지난 11일 서울 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설 직전 취재진과 만나 "HBM4에 대한 고객사 피드백이 매우 만족스럽다"며 "사실상 기술에 있어서는 최고"라고 강조했다. 송 사장은 "세계에서 가장 좋은 기술력으로 대응했던 삼성의 원래 모습을 다시 보여드리는 것"이라며 "차세대인 HBM4E, HBM5에서도 업계 1위가 될 수 있도록 기술을 준비하고 있다"고 밝혔다. 특히 그는 "삼성은 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 패키지를 다 갖고 있다는 점에서 지금 AI가 요구하는 제품을 만드는 데 가장 좋은 환경을 갖고 있으며 그것이 적합하게 시너지를 내고 있다"며 삼성만의 'IDM(종합반도체기업) 역량'을 승부처로 꼽았다. 삼성전자가 세계 최초 양산에 성공한 HBM4는 기존 제품의 한계를 뛰어넘는 '괴물 스펙'을 자랑한다. 삼성전자는 이번 제품에 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 파운드리 4나노 공정을 적용하는 승부수를 던졌다. 그 결과 데이터 처리 속도는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준인 8Gbps(초당 기가비트)를 46%나 상회하는 최대 11.7Gbps를 달성했다. 이는 전 세대인 HBM3E(9.6Gbps)보다 22% 빠르다. 대역폭 역시 단일 스택 기준 최대 3.3TB/s(초당 테라바이트)로 전작 대비 약 2.7배 향상됐으며 용량은 12단 적층 기준 36GB를 구현했다. 향후 16단 적층 기술을 적용해 48GB까지 용량을 늘릴 계획이다. 특히 주목할 점은 메모리의 두뇌 역할을 하는 '베이스 다이(Base Die)'에 4나노 파운드리 미세 공정을 적용했다는 것이다. 이를 통해 단순한 데이터 저장소를 넘어 연산 기능까지 일부 수행하는 '커스텀 HBM' 시대를 열었다는 평가를 받는다. ◆ SK하이닉스 추격 따돌리고 '주도권' 잡나 업계에서는 삼성전자의 이번 조기 양산이 HBM 시장의 판도를 뒤흔들 '게임 체인저'가 될 것으로 보고 있다. HBM3E 시장까지는 SK하이닉스가 독주 체제를 굳혔으나 AI 반도체의 구조가 바뀌는 HBM4부터는 삼성전자가 '원팀' 전략으로 치고 나가는 모양새다. SK하이닉스는 HBM4 생산을 위해 파운드리 1위인 대만 TSMC와 연합 전선을 구축했지만 삼성전자는 메모리 설계부터 파운드리 생산, 패키징까지 한 지붕 아래서 처리하는 '턴키(Turn-key)' 솔루션으로 납기 속도와 최적화 면에서 우위를 점했다는 분석이다. 송 사장이 언급한 "가장 좋은 환경"이 바로 이 지점이다. 미국 마이크론이 엔비디아의 HBM4 초기 공급망 진입에 난항을 겪고 있는 것으로 알려진 가운데 삼성전자가 초기 물량을 선점하면서 향후 가격 협상력과 점유율 싸움에서도 유리한 고지에 올랐다. 전문가들은 "삼성전자가 HBM4 조기 출하로 기술 리더십을 증명했다"며 "다만 실제 양산 수율(양품 비율)을 얼마나 빠르게 안정화하느냐가 향후 엔비디아 등 빅테크 물량을 독식할 수 있는 관건이 될 것"이라고 전망했다.2026-02-12 15:17:55
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삼성·SK, 'HBM4' 리스크 양산 돌입… 엔비디아 '루빈' 향한 '속도전'의 내막 [이코노믹데일리] 2026년을 향한 글로벌 메모리 반도체 시장의 시계가 전례 없이 빠르게 돌아가고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 놓고 고객사의 최종 인증(Qual)이 끝나기도 전에 공장을 가동하는 이른바 ‘리스크 양산(Risk Production)’ 체제에 돌입했다. ◆ 왜 ‘리스크 양산’인가… 엔비디아의 시계는 기다려주지 않는다 반도체 업계에서 리스크 양산은 고위험 전략이다. 통상 ‘샘플 공급→품질 테스트→양산 계약→본격 생산’ 순서를 밟지만 HBM4는 웨이퍼 투입부터 패키징까지 리드타임(제품 공급에 필요한 총 시간)이 4~5개월 이상 걸린다. 지금 공정을 돌리지 않으면 엔비디아가 목표로 하는 루빈 플랫폼 일정에 맞추기 어렵다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난해 9월, 삼성전자는 10월 전후부터 HBM4 생산 라인을 가동한 것으로 알려졌다. 최종 퀄 테스트에서 탈락하거나 설계 변경이 발생할 경우 해당 물량은 전량 손실 처리될 수 있다. 그럼에도 양사가 도박에 나선 이유는 명확하다. HBM 시장이 사실상 ‘선점 구조’로 굳어졌기 때문이다. 시장조사업체들의 전망을 종합하면 2026년 HBM 수요는 공급을 15~20% 웃돌 것으로 예상된다. 생산 타이밍을 놓치는 것은 곧 시장 주도권 상실을 의미한다. 이번 HBM4 경쟁에서 가장 공격적인 선택을 한 쪽은 삼성전자다. 삼성은 이전 세대에서의 주도권 상실을 만회하기 위해 안정성보다 기술적 도약을 우선하는 전략을 택했다. HBM4 코어 다이에는 업계 최선단인 10나노급 6세대(1c) D램을 적용했다. 경쟁사가 검증된 공정을 유지한 것과 달리 집적도를 높이고 전력 효율을 극대화해 성능 격차를 벌리겠다는 의도가 깔려 있다. HBM의 두뇌 역할을 하는 베이스 다이 역시 외부에 맡기지 않았다. 삼성전자는 이를 자사 파운드리 4나노 공정으로 직접 생산하며 메모리와 로직, 패키징을 한 번에 묶는 ‘턴키’ 구조를 완성했다. 설계부터 양산까지 내부에서 통제함으로써 성능 최적화와 공급 일정 관리에서 주도권을 쥐겠다는 계산이다. 삼성전자는 최근 콘퍼런스콜에서 “재설계 없이 퀄 테스트 단계에 진입했다”고 밝히며 기술적 자신감을 내비쳤다. 이는 1c D램과 4나노 로직 다이 조합이 엔비디아가 요구하는 고속·저전력 기준을 충족했을 가능성을 시사한다. 이 전략이 성공할 경우 삼성은 HBM4 시장에서 성능과 효율을 동시에 앞세운 반격의 발판을 마련하게 된다. 반면 HBM 시장의 현재 강자인 SK하이닉스는 모험보다 확실성을 택했다. SK하이닉스는 HBM3E에서 높은 수율을 기록한 10나노급 5세대(1b) D램 공정을 HBM4에서도 유지하며 신공정 도입에 따른 초기 불량 가능성을 최소화했다. 수율과 원가 경쟁력을 동시에 지키겠다는 판단이다. 로직 다이 생산은 파운드리 세계 1위인 TSMC와의 협업에 맡겼다. TSMC의 12나노 및 5나노 공정을 활용해 베이스 다이를 제조하고 이를 SK하이닉스의 독자 패키징 기술인 ‘어드밴스드 MR-MUF’로 결합하는 방식이다. 이미 GPU 생산에서 TSMC 생태계에 깊이 의존하고 있는 엔비디아 입장에서는 이러한 조합이 심리적으로도 안정적인 선택지로 받아들여질 수 있다. 업계에서는 초기 HBM4 공급 물량 가운데 상당 부분이 SK하이닉스에 우선 배정될 가능성도 거론된다. 이는 기술적 우위라기보다 검증된 수율과 기존 협력 관계에서 비롯된 신뢰의 결과라는 해석이 나온다. ◆ 2026년, ‘독주’에서 ‘양강’으로 2026년은 HBM 시장이 단일 강자 체제에서 양강 구도로 전환되는 분기점이 될 가능성이 크다. 엔비디아는 공급망 안정과 가격 협상력을 위해 멀티 벤더 전략을 선호한다. 삼성전자의 HBM4 양산 진입은 이러한 전략의 현실화를 의미한다. 다만 가격 부담은 커질 전망이다. HBM4는 적층 수 증가와 다이 대형화로 웨이퍼 소모량이 급증한다. 이는 일반 D램 공급에도 영향을 미쳐 메모리 가격 전반을 끌어올릴 수 있다. 시장에서는 2026년 HBM 매출이 전체 D램 매출의 30%를 넘어설 것으로 보고 있다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 “삼성전자의 조기 진입은 기술 초격차를 되찾겠다는 의지의 표현”이라며 “SK하이닉스의 수율 안정성과 삼성전자의 생산 능력이 맞붙는 올해 하반기가 진정한 승부처가 될 것”이라고 분석했다.2026-02-01 15:12:06
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