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최태원 회장 첫 GTC행, 젠슨 황과 재회…'AI 반도체 동맹' 굳히기 총력 [경제일보] 글로벌 AI(인공지능) 반도체 시장의 향방을 가를 '엔비디아 GTC 2026'이 초읽기에 들어갔다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 AI 메모리인 HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 앞세워 엔비디아의 간택을 받기 위한 치열한 기술 경쟁을 예고했다. 특히 최태원 SK그룹 회장이 직접 현장을 찾아 젠슨 황 엔비디아 CEO와의 밀월 관계를 과시할 것으로 보여 양사의 수주전이 최고조에 달할 전망이다. 6일 업계에 따르면 엔비디아는 오는 16일(현지시간)부터 나흘간 미국 캘리포니아 새너제이에서 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2026'을 개최한다. 이번 행사의 백미는 젠슨 황 CEO가 기조연설을 통해 공개할 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)'이다. 베라 루빈은 전작인 블랙웰을 뛰어넘는 성능으로 HBM4 탑재가 필수적이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이번 GTC에 대규모 부스를 꾸리고 엔비디아의 차세대 칩에 들어갈 메모리 기술력을 과시한다. HBM 시장의 주도권을 쥔 SK하이닉스는 HBM3E와 HBM4를 비롯해 LPDDR, GDDR7 등 AI용 초고속 메모리 라인업을 총망라해 전시한다. 가장 주목받는 행보는 최태원 SK그룹 회장의 GTC 참석이다. 최 회장이 엔비디아 주최 행사에 직접 참석하는 것은 이번이 처음이다. 최 회장은 지난달 미국에서 젠슨 황 CEO와 '치맥 회동'을 가지며 끈끈한 파트너십을 과시한 바 있다. 이번 방문을 통해 HBM4 공급 확정은 물론 에너지와 데이터센터를 아우르는 포괄적 AI 인프라 협력 방안을 논의할 것으로 관측된다. 일각에서는 엔비디아가 베라 루빈 이후 선보일 차세대 칩 '파인만(Feynman)'에 대한 협력 논의도 오갈 것으로 보고 있다. 삼성전자는 '기술 초격차'로 승부수를 던진다. 최근 세계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다고 밝힌 삼성전자는 이번 GTC에서 실제 제품 성능을 입증하는 데 주력한다. 송용호 삼성전자 DS부문 부사장(AI센터장)은 '반도체 제조와 AI의 미래'를 주제로 발표에 나서며 삼성의 제조 공정에 AI를 접목한 'AI 팩토리' 비전을 제시한다. 이번 GTC는 HBM4 공급권의 향배를 가를 분수령이 될 전망이다. HBM4는 기존 제품과 달리 로직 다이(Logic Die)에 파운드리 공정이 결합되는 '커스텀(맞춤형) 메모리' 성격이 강하다. 메모리와 파운드리, 패키징을 일괄 수행하는 '턴키(Turn-key)' 솔루션을 앞세운 삼성전자와 TSMC와의 연합 전선을 구축해 공정 신뢰성을 높인 SK하이닉스 간의 전략 대결이 치열하다. 업계 관계자는 "엔비디아가 베라 루빈을 공개하는 시점에 맞춰 메모리 파트너사들의 기술력 검증도 마무리 단계에 들어갈 것"이라며 "SK하이닉스가 굳건한 동맹을 과시하는 가운데 삼성전자가 양산 능력을 앞세워 얼마나 물량을 확보하느냐가 올해 반도체 실적의 핵심 변수"라고 분석했다. 2026년 AI 반도체 시장은 '학습'에서 '추론'으로, 범용 칩에서 전용 칩으로 빠르게 진화하고 있다. 이번 GTC 2026은 단순한 기술 컨퍼런스를 넘어 대한민국 반도체 투톱의 기술력이 글로벌 AI 생태계에서 어떤 위치를 차지할지 확인하는 리트머스 시험지가 될 것이다.2026-03-06 07:48:34
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삼성전자, 설 이후 HBM4 세계 첫 양산 출하…차세대 주도권 선점 [이코노믹데일리] 삼성전자가 인공지능 반도체 시장의 판도를 바꿀 것이라 평가받는 차세대 고대역폭 메모리 HBM4를 설 연휴 이후 세계 최초로 양산 출하한다. 이전 세대 제품에서의 부진으로 불거졌던 반도체 사업 위기설을 털어내고 차세대 HBM 시장에서 선제적으로 주도권을 확보하겠다는 전략으로 풀이된다. 8일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하 시점을 설 연휴 직후로 확정했으며 이르면 이달 셋째 주부터 본격적인 공급에 나설 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자는 엔비디아의 품질 검증을 통과해 구매주문을 확보했으며 HBM4가 탑재될 엔비디아 차세대 AI 가속기의 출시 일정 등을 종합적으로 고려해 출하 시점을 결정한 것으로 전해졌다. 엔비디아는 다음 달 열리는 자사 기술 콘퍼런스 'GTC 2026'에서 삼성전자 HBM4를 적용한 차세대 AI 가속기를 처음 공개할 전망이다. HBM4의 양산 출하는 이번이 전 세계에서 처음이다. 성능 측면에서도 삼성전자 HBM4는 현존 최고 수준으로 평가받고 있다. 삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체표준협의기구의 기준을 뛰어넘는 성능 구현을 목표로 설정했고 이를 위해 '1c D램 공정'과 '4나노 파운드리 공정'을 동시에 적용하는 전략을 택했다. 이번 공정을 적용한 HBM4의 데이터 처리 속도는 표준 기준인 8Gbps를 넘어 최대 11.7Gbps에 이를 수 있도록 설계됐다. 이는 표준 대비 약 37%, 이전 세대인 HBM3E 대비 22% 이상 높은 수치다. 단일 스택 기준 메모리 대역폭 역시 전작보다 2.4배 향상된 최대 3TB/s 수준이며 12단 적층을 통해 최대 36GB의 용량을 제공한다. 향후 16단 적층 기술을 적용할 경우 최대 48GB까지 확장이 가능할 것으로 알려졌다. 고성능 연산을 지원하면서도 저전력 설계를 통해 서버와 데이터센터의 전력 소비 및 냉각 비용을 크게 줄일 수 있다는 점이 특징이다. 삼성전자는 올해 HBM 판매량이 전년 대비 3배 이상 늘어날 것으로 보고 있으며 생산 능력 확대를 위해 평택캠퍼스 4공장에 신규 라인을 구축할 것으로 알려졌다. 최선단 공정을 적용한 상황에서도 안정적인 수율을 확보해 양산에 돌입했고 향후 생산 확대와 함께 수율은 더욱 개선될 것으로 전망된다. 삼성전자는 전체 메모리 시장 상황을 면밀히 검토해 HBM4 생산 계획을 탄력적으로 운용할 방침이다. HBM을 포함한 메모리 전반의 가격이 상승 중에 세계 최대 수준의 생산 능력을 효율적으로 배분해 활용하겠다는 구상이다.2026-02-08 14:19:50
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