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삼성전자, 업계 첫 UFS 5.0 개발…AI 스마트폰 두뇌 더 빨라지고 발열 준다 [경제일보] 국내 최대 기업 삼성전자가 온디바이스 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 모바일 메모리 솔루션을 선보이며 AI 스마트폰 시장 주도권 강화에 나섰다. 업계 최초로 최신 저장장치 규격인 UFS 5.0(Universal Flash Storage) 개발에 성공하면서 모바일·웨어러블·XR(확장현실) 기기용 차세대 메모리 시장 공략에도 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 23일 업계 최초로 UFS 5.0 메모리 솔루션 개발을 완료했다고 밝혔다. UFS는 스마트폰과 태블릿, 웨어러블 기기 등에 탑재되는 내장형 플래시 메모리 규격이다. 최근 생성형 AI 기능이 클라우드 중심에서 기기 자체 연산 방식인 온디바이스 AI로 확산되면서 고속 데이터 처리와 전력 효율을 동시에 갖춘 저장장치 중요성이 커지고 있다. 이번 제품은 반도체 표준화 기구인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)의 최신 규격인 UFS 5.0 인터페이스를 적용했다. 삼성전자의 9세대 V낸드(V9)를 기반으로 개발됐으며 업계 최고 수준인 초당 10.8GB의 데이터 전송 대역폭을 구현한 것이 특징이다. 성능도 대폭 향상됐다. UFS 5.0은 순차 읽기 속도 10.8GB/s, 순차 쓰기 속도 9.5GB/s를 지원한다. 이는 기존 UFS 4.1 대비 두 배 이상 향상된 수준으로 대규모 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 처리할 수 있다. 특히 온디바이스 AI 환경에서 요구되는 대용량 데이터 처리에 최적화됐다. 회사는 데이터 처리 지연 시간을 줄이고 AI 서비스 응답 속도를 높이는 데 기여할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 전력 효율도 개선됐다. 삼성전자는 차세대 저전력 환경에 맞춰 클락 게이팅(Clock Gating)과 멀티 전압(Multi Voltage) 기술 등을 적용해 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 높였다고 설명했다. 클락 게이팅은 사용하지 않는 회로의 동작 신호를 차단해 전력 소모를 줄이는 기술이며 멀티 전압은 회로별 최적 전압을 적용해 소비전력과 발열을 최소화하는 방식이다. 이를 통해 동일한 데이터 전송량 기준 배터리 사용 시간을 늘릴 수 있다는 설명이다. 제품 크기도 줄였다. UFS 5.0은 가로 7.5㎜, 세로 13㎜, 높이 0.9㎜ 크기로 전작 대비 패키지 면적을 약 16.7% 축소했다. 삼성전자는 이를 통해 모바일 기기뿐 아니라 XR 헤드셋과 AI 웨어러블 등 차세대 기기 설계 유연성을 높일 수 있을 것으로 보고 있다. 업계에서는 온디바이스 AI 시장 확대와 함께 모바일 저장장치 중요성이 더욱 커질 것으로 전망하고 있다. AI 스마트폰은 음성 비서와 실시간 번역, 생성형 AI 서비스 등을 기기 내부에서 처리해야 하는 만큼 메모리와 저장장치 성능이 사용자 경험을 좌우하는 핵심 요소로 부상하고 있기 때문이다. 특히 AI 기능이 고도화될수록 데이터 입출력 속도와 전력 효율 경쟁이 중요해지면서 차세대 모바일 스토리지 시장 경쟁도 한층 치열해질 것으로 예상된다. 삼성전자는 올해 4분기부터 UFS 5.0 양산에 돌입할 계획이다. 향후 플래그십 스마트폰뿐 아니라 XR 헤드셋과 AI 웨어러블 등 차세대 디바이스 시장으로 공급을 확대한다는 전략이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장 상무는 "온디바이스 AI 시대에는 저장장치가 단순한 데이터 저장 공간을 넘어 AI 경험을 결정하는 핵심 요소로 자리 잡고 있다"며 "업계 최초 UFS 5.0 개발을 통해 차세대 모바일 스토리지의 새로운 기준을 제시하고 AI 모바일 혁신을 지속 주도해 나갈 것"이라고 말했다. 삼성전자 관계자는 "이번 UFS 5.0은 속도 향상과 전력 효율 개선 가운데 어느 한쪽에만 초점을 맞춘 제품이라기보다 업계 최초 UFS 5.0 개발과 업계 최고 수준의 성능 구현에 의미가 있다"며 "전력 효율을 높이면서도 더 높은 성능을 구현해 온디바이스 AI 환경에서 중요해지는 발열과 전력 소모 문제를 함께 개선하는 데 주력했다"고 말했다. 이어 "모바일 메모리는 패키지 크기를 줄이는 것만으로도 기기 설계 자유도가 크게 높아진다"며 "확보된 내부 공간을 활용해 D램 용량을 늘리거나 다른 반도체를 추가로 탑재할 수 있고 스마트폰 자체를 더 얇고 가볍게 설계하는 것도 가능하다"고 설명했다. 그러면서 "향후 XR 기기와 AI 웨어러블 등 소형·고성능 디바이스 시장이 확대될수록 패키지 소형화의 중요성은 더욱 커질 것"이라고 덧붙였다.2026-06-23 15:15:48
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SK하이닉스, 10나노급 6세대 LPDDR6 개발… '온디바이스 AI' 시장 격돌 [경제일보] SK하이닉스(대표 곽노정)가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb LPDDR6 D램 개발을 마치고 올 하반기 본격적인 양산 공급 체제에 돌입한다. 온디바이스 AI(기기 내장형 인공지능) 시대의 핵심 부품인 차세대 저전력 메모리 시장에서 기술 우위를 선점하겠다는 전략이다. 삼성전자와의 양산 경쟁도 더욱 뜨거워질 전망이다. 이번에 개발된 1c LPDDR6 D램은 이전 세대인 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도를 33% 향상했다. 동작 속도는 10.7Gbps 이상을 구현하며 생성형 AI가 요구하는 고대역폭 요건을 충족했다. 전력 소모 또한 서브 채널 구조와 DVFS(동적 전압·주파수 조절) 기술을 적용해 20% 이상 낮췄다. SK하이닉스는 1c라는 최첨단 미세 공정을 선제적으로 적용함으로써 전력 효율과 집적도를 극대화했다. 이는 모바일 기기 사용자가 음성 전사, 실시간 번역 등 고사양 AI 기능을 실행할 때 배터리 소모를 최소화하면서도 매끄러운 성능을 경험할 수 있게 설계됐음을 의미한다. 이번 개발은 스마트폰과 노트북 등 모바일 기기의 AI화가 가속화되는 시장 흐름을 반영하고 있다. 시장 조사기관 IDC에 따르면, 생성형 AI 기능을 탑재한 스마트폰 출하량은 매년 급증하고 있으며 이에 따라 고성능 저전력 메모리의 수요도 확대되고 있다. 업계 관계자는 "기존 일반 DDR 제품군을 저전력 메모리가 빠르게 대체하는 세대 교체가 일어나고 있다"며 "온디바이스 AI 환경에서는 데이터를 서버로 보내지 않고 기기 내부에서 처리해야 하므로 더 빠르고 더 효율적인 메모리가 'AI의 심장' 역할을 할 것"이라고 분석했다. SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리)에 이어 모바일 D램에서도 기술 격차를 벌리려는 배경이다. ◆ 삼성전자와의 격전, '시장 선점'이 관건 SK하이닉스의 1c 공정 기반 LPDDR6 개발로 삼성전자와의 경쟁 구도는 더욱 선명해졌다. 삼성전자는 1b 공정 기반의 LPDDR6 제품으로 제품 안정성과 조기 양산화에 집중하고 있으며, 최근에는 차차세대 제품인 LPDDR6X 샘플을 주요 칩셋 업체에 공급하며 시장 개화를 앞당기고 있다. SK하이닉스가 1c 공정을 통한 고효율 전략을 택했다면 삼성전자는 안정적인 공정 운영과 폭넓은 라인업 구축을 통해 맞불을 놓는 형국이다. 전문가들은 삼성전자가 성능 안정성을 우선시한 1b 공정을 선택한 것은 초기 수율 확보와 고객사 공급 안정성을 염두에 둔 전략적 선택으로 보고 있다. 향후 LPDDR6 시장은 스마트폰을 넘어 자율주행차(SDV), 스마트 가전 등으로 사용 범위가 대폭 확대될 전망이다. 업계는 HBM이 서버용 AI 시장을 주도한다면, LPDDR6는 개인용 AI 기기 시장의 성장을 견인하며 메모리 반도체 기업의 새로운 매출 효자가 될 것으로 내다본다. SK하이닉스는 이번 인증 완료를 통해 하반기 글로벌 모바일 고객사에 대한 공급을 차질 없이 진행할 계획이다. 전문가들은 기술 우위를 점하기 위한 양사의 미세 공정 경쟁이 치열해질수록 결과적으로 차세대 AI 디바이스의 상용화 속도 역시 빨라질 것으로 보고 있다. 온디바이스 AI가 보편화되는 2026년 하반기, 누가 더 압도적인 전력 효율과 대역폭을 가진 메모리를 시장에 먼저 안착시키느냐가 승부처가 될 전망이다.2026-03-10 16:51:42
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