SK하이닉스는 최근 대만 타이페이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 2026년 양산 예정인 'HBM4(6세대 HBM)'를 TSMC와 공 개발할 것이라고 19일 밝혔다.
양사는 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 '베이스 다이(Base Die)' 성능 개선에 중점을 둔다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만든다. 베이스 다이는 이 과정에서 그래픽처리장치(GPU)와 연결해 HBM을 컨트롤하는 역할을 맡는다.
SK하이닉스는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객사 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다.
더불어 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS) 기술 결합을 최적화하기 위해 상호 협력하고 HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다. CoWoS는 특수 기판 위에 로직칩과 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다.
김주선 SK하이닉스 사장은 "고객사들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더의 위상을 확고히 하겠다"고 말했다．
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