SK하이닉스 "2026년 HBM4E 개발"…1년 앞당겼다

[경제일보] SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 이르면 2026년부터 양산한다. HBM3E 12단, HBM4에 이어 양산 목표 시기를 계획보다 1년 가량 앞당긴 것이다.

김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이 같은 로드맵을 밝힌 뒤 "그동안 고대역폭메모리(HBM)는 2년 단위로 발전해 왔지만 5세대인 HBM3E 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 설명했다.

HBM은 SK하이닉스가 2014년 처음 개발한 제품으로, 고성능 반도체 칩에 필수적으로 탑재된다. 이후 2018년 HBM2(2세대), 2020년 HBM2E(3세대), 2022년 HBM3(4세대)를 세상에 내놨고 지난 3월 HBM3E(5세대)를 선보였다. 

이날 SK하이닉스는 HBM4(6세대)에 도입하기로 한 '하이브리드 본딩' 공정 방식은 수율 문제로 HBM4에 적용이 어려울 수 있다는 점도 언급했다. 하이브리드 본딩 공정은 기존 MR-MUF 방식에서 업그레이드 된 기술이다. 

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품의 샘플을 이달 중 제공하고 오는 3분기에 양산할 수 있도록 준비하고 있다. 당초 2026년 공급 예정이던 6세대 HBM4 12단 제품도 내년으로 앞당겨 양산할 계획이다.