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삼성전자, 업계 첫 UFS 5.0 개발…AI 스마트폰 두뇌 더 빨라지고 발열 준다 [경제일보] 국내 최대 기업 삼성전자가 온디바이스 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 모바일 메모리 솔루션을 선보이며 AI 스마트폰 시장 주도권 강화에 나섰다. 업계 최초로 최신 저장장치 규격인 UFS 5.0(Universal Flash Storage) 개발에 성공하면서 모바일·웨어러블·XR(확장현실) 기기용 차세대 메모리 시장 공략에도 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 23일 업계 최초로 UFS 5.0 메모리 솔루션 개발을 완료했다고 밝혔다. UFS는 스마트폰과 태블릿, 웨어러블 기기 등에 탑재되는 내장형 플래시 메모리 규격이다. 최근 생성형 AI 기능이 클라우드 중심에서 기기 자체 연산 방식인 온디바이스 AI로 확산되면서 고속 데이터 처리와 전력 효율을 동시에 갖춘 저장장치 중요성이 커지고 있다. 이번 제품은 반도체 표준화 기구인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)의 최신 규격인 UFS 5.0 인터페이스를 적용했다. 삼성전자의 9세대 V낸드(V9)를 기반으로 개발됐으며 업계 최고 수준인 초당 10.8GB의 데이터 전송 대역폭을 구현한 것이 특징이다. 성능도 대폭 향상됐다. UFS 5.0은 순차 읽기 속도 10.8GB/s, 순차 쓰기 속도 9.5GB/s를 지원한다. 이는 기존 UFS 4.1 대비 두 배 이상 향상된 수준으로 대규모 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 처리할 수 있다. 특히 온디바이스 AI 환경에서 요구되는 대용량 데이터 처리에 최적화됐다. 회사는 데이터 처리 지연 시간을 줄이고 AI 서비스 응답 속도를 높이는 데 기여할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 전력 효율도 개선됐다. 삼성전자는 차세대 저전력 환경에 맞춰 클락 게이팅(Clock Gating)과 멀티 전압(Multi Voltage) 기술 등을 적용해 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 높였다고 설명했다. 클락 게이팅은 사용하지 않는 회로의 동작 신호를 차단해 전력 소모를 줄이는 기술이며 멀티 전압은 회로별 최적 전압을 적용해 소비전력과 발열을 최소화하는 방식이다. 이를 통해 동일한 데이터 전송량 기준 배터리 사용 시간을 늘릴 수 있다는 설명이다. 제품 크기도 줄였다. UFS 5.0은 가로 7.5㎜, 세로 13㎜, 높이 0.9㎜ 크기로 전작 대비 패키지 면적을 약 16.7% 축소했다. 삼성전자는 이를 통해 모바일 기기뿐 아니라 XR 헤드셋과 AI 웨어러블 등 차세대 기기 설계 유연성을 높일 수 있을 것으로 보고 있다. 업계에서는 온디바이스 AI 시장 확대와 함께 모바일 저장장치 중요성이 더욱 커질 것으로 전망하고 있다. AI 스마트폰은 음성 비서와 실시간 번역, 생성형 AI 서비스 등을 기기 내부에서 처리해야 하는 만큼 메모리와 저장장치 성능이 사용자 경험을 좌우하는 핵심 요소로 부상하고 있기 때문이다. 특히 AI 기능이 고도화될수록 데이터 입출력 속도와 전력 효율 경쟁이 중요해지면서 차세대 모바일 스토리지 시장 경쟁도 한층 치열해질 것으로 예상된다. 삼성전자는 올해 4분기부터 UFS 5.0 양산에 돌입할 계획이다. 향후 플래그십 스마트폰뿐 아니라 XR 헤드셋과 AI 웨어러블 등 차세대 디바이스 시장으로 공급을 확대한다는 전략이다. 최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장 상무는 "온디바이스 AI 시대에는 저장장치가 단순한 데이터 저장 공간을 넘어 AI 경험을 결정하는 핵심 요소로 자리 잡고 있다"며 "업계 최초 UFS 5.0 개발을 통해 차세대 모바일 스토리지의 새로운 기준을 제시하고 AI 모바일 혁신을 지속 주도해 나갈 것"이라고 말했다. 삼성전자 관계자는 "이번 UFS 5.0은 속도 향상과 전력 효율 개선 가운데 어느 한쪽에만 초점을 맞춘 제품이라기보다 업계 최초 UFS 5.0 개발과 업계 최고 수준의 성능 구현에 의미가 있다"며 "전력 효율을 높이면서도 더 높은 성능을 구현해 온디바이스 AI 환경에서 중요해지는 발열과 전력 소모 문제를 함께 개선하는 데 주력했다"고 말했다. 이어 "모바일 메모리는 패키지 크기를 줄이는 것만으로도 기기 설계 자유도가 크게 높아진다"며 "확보된 내부 공간을 활용해 D램 용량을 늘리거나 다른 반도체를 추가로 탑재할 수 있고 스마트폰 자체를 더 얇고 가볍게 설계하는 것도 가능하다"고 설명했다. 그러면서 "향후 XR 기기와 AI 웨어러블 등 소형·고성능 디바이스 시장이 확대될수록 패키지 소형화의 중요성은 더욱 커질 것"이라고 덧붙였다.2026-06-23 15:15:48
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SK하이닉스, HBM4E 고객사 첫 샘플 출격…AI 메모리 초격차 노린다 [경제일보] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 선점을 위해 고대역폭메모리(HBM) 차세대 제품인 'HBM4E' 샘플 공급에 나섰다. AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장 확대에 맞춰 성능과 전력 효율을 동시에 높인 제품으로 차세대 AI 인프라 수요 공략에 속도를 내는 모습이다. SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다. HBM4E는 기존 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 한층 강화한 제품이다. 핀(Pin)당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율도 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론 과정에서 필요한 대규모 데이터 처리 성능을 높이는 데 초점을 맞췄다. 데이터 전송 지연 시간도 줄였다. 최신 인터페이스와 설계 최적화를 적용해 고대역폭 환경에서도 안정적인 구동이 가능하도록 설계됐다. 회사는 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 초고성능 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 용량 역시 확대됐다. SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 칩 적층 구조 안정성을 높이는 동시에 발열 관리 성능도 개선했다. 특히 열 저항은 기존 HBM4 대비 약 17% 낮아졌다. AI 서버와 데이터센터처럼 고부하 연산이 지속되는 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계한 것이 특징이다. 업계에서는 AI 반도체 성능 경쟁이 심화되면서 메모리 성능과 전력 효율이 AI 인프라 경쟁력의 핵심 요소로 부상하고 있다고 보고 있다. 엔비디아를 비롯한 글로벌 AI 반도체 기업들이 차세대 AI 가속기 개발에 속도를 내면서 HBM 수요도 빠르게 증가하는 추세다. 시장조사업체들은 향후 AI 서버 시장 성장에 따라 HBM 시장 규모가 지속 확대될 것으로 전망하고 있다. 특히 HBM4 이후 차세대 제품인 HBM4E는 AI 학습과 추론 성능 향상을 위한 핵심 메모리로 주목받고 있다. SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E까지 차세대 제품 개발을 이어가며 AI 메모리 시장 주도권 강화에 나서고 있다. 회사는 그동안 축적한 양산 경험과 공급 역량을 기반으로 고객 맞춤형 메모리 솔루션 제공을 확대한다는 계획이다. 최근 SK하이닉스는 AI 메모리 사업 확대를 위해 엔비디아와의 협력도 강화하고 있다. 양사는 차세대 AI 팩토리 구축을 위한 메모리 공동 개발과 장기 기술 파트너십을 추진 중이며 베라 루빈(Vera Rubin) 기반 차세대 AI 플랫폼용 메모리 개발에도 협력하고 있다. SK하이닉스는 이번 HBM4E 샘플 공급을 통해 고객사 평가와 검증 절차를 진행한 뒤 향후 양산 체제로 전환할 계획이다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 바탕으로 HBM4E에서도 AI 혁신을 지원할 수 있는 기반을 마련했다"며 "고객과의 협력을 통해 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하고 AI 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나가겠다"고 말했다. SK하이닉스 관계자는 "현재 HBM4E는 주요 고객사를 대상으로 성능과 안정성을 검증하는 단계"라며 "HBM 시장은 여전히 HBM3E가 주력 제품이고 점차 HBM4로 전환되는 과정에 있는 만큼 고객 일정과 시장 상황에 맞춰 양산 체계를 준비해 나갈 계획"이라고 설명했다. 이어 "HBM4E 12단 제품을 먼저 선보인 것은 고객사들의 고용량 수요를 반영한 결과로 볼 수 있다"며 "HBM4E는 이전 세대보다 개별 D램 용량이 확대되면서 12단 적층만으로도 더 높은 용량 구현이 가능해졌다"고 말했다. 또 "향후 고객사 검증 결과와 시장 수요를 종합적으로 고려해 양산 안정성과 공급 안정성을 확보하는 데 집중할 것"이라고 덧붙였다.2026-06-18 19:13:22
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삼성전자, 차세대 HBM4E 샘플 공급 개시…AI 반도체 '다음 승부처' 선점 [경제일보] 국내 대표 기업 삼성전자가 차세대 AI(인공지능) 메모리 시장 공략을 위해 HBM4E(고대역폭메모리) 샘플 공급에 나섰다. 세계 최초 HBM4 양산에 이어 차세대 제품까지 선제적으로 공급하며 AI 메모리 시장 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다. 삼성전자는 글로벌 고객사에 'HBM4E 12단' 샘플 공급을 시작했다고 29일 밝혔다. HBM4E는 차세대 AI 가속기와 대규모 언어모델(LLM) 구동을 위한 고성능 메모리다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산을 시작한 데 이어 이번 HBM4E 샘플 공급까지 진행하며 차세대 HBM 제품군 확대에 나섰다. 이번 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 성능을 높인 것이 특징이다. 핀(Pin)당 동작 속도는 최대 16Gbps로 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 수준의 데이터 처리 대역폭도 제공한다. 용량 역시 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트) 용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 늘어난 수준이다. 삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다. 업계에서는 최근 생성형 AI 시장 확대와 AI 데이터센터 투자 증가로 고성능 HBM 수요가 빠르게 늘어나는 상황에서 HBM4와 HBM4E가 차세대 AI 반도체 시장 핵심 메모리로 자리 잡을 것으로 보고 있다. 특히 AI 모델 규모가 커질수록 데이터 처리 속도와 용량 확보 중요성이 높아지면서 차세대 HBM 경쟁도 더욱 치열해지는 분위기다. 삼성전자는 이번 HBM4E에 10나노급 6세대(1c) D램과 자체 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용했다. 이를 통해 성능뿐 아니라 수율과 양산성 확보에도 주력했다는 설명이다. 전력 효율과 발열 특성도 개선했다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 향상시켰다고 밝혔다. AI 데이터센터 운영 과정에서 중요성이 커지고 있는 전력 효율과 발열 관리 경쟁력을 강화했다는 평가다. 업계에서는 삼성전자가 △메모리 △파운드리 △시스템LSI △첨단 패키징까지 아우르는 반도체 밸류체인을 기반으로 AI 메모리 시장 경쟁력을 높이고 있다는 분석도 나온다. 특히 HBM4와 HBM4E 모두 자체 4나노 베이스 다이와 최신 D램 공정을 적용하고 있어 향후 양산 전환에도 속도를 낼 수 있을 것으로 전망된다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산 공급을 진행할 예정이다. 삼성전자 관계자는 "이번 HBM4E 샘플 공급은 고객사 수요에 맞춰 진행된 것으로 실제 고객사 평가 절차를 위한 단계"라며 "HBM은 고객사 인증과 테스트 과정에 상당한 시간이 소요되는 만큼 현재는 샘플 공급 단계이며 구체적인 양산 공급 일정은 아직 확정되지 않았다"고 말했다. 이어 "차세대 HBM 시장에서는 용량과 속도, 전력 효율 모두 중요한 경쟁 요소"라며 "고객사마다 AI 시스템 구조와 활용 목적이 다른 만큼 특정 사양 하나보다 전체적인 성능 균형과 최적화 수준이 중요하게 평가되고 있다"고 덧붙였다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 성공적으로 진행하며 차세대 AI 메모리 시장 경쟁력을 강화하고 있다"며 "앞으로도 선제적인 기술 개발과 생산 인프라 투자를 통해 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.2026-05-29 13:15:14
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SK하이닉스, P&T7 착공으로 '전공정→후공정' 전환…'패키징'으로 메모리 사업 확장 [경제일보] SK하이닉스가 충북 청주시 흥덕구 외북동에 위치한 청주 테크노폴리스 산업단지에 첨단 패키징 생산기지 'P&T7'을 착공하며 AI 메모리 경쟁의 다음 축으로 떠오른 후공정 역량 강화에 나섰다. 단순 생산능력 확대를 넘어 HBM 중심 경쟁 이후를 대비한 전략적 투자로 해석된다. 22일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이날 충북 청주에서 'P&T7 착공식'을 개최했다. 행사에는 이병기 양산총괄을 비롯한 임직원 125명 및 구성원 가족 40명과 공사를 맡은 SK에코플랜트 임직원 20명이 참석했다. 이날 착공 후 내년 10월에는 WT 라인을 준공하고 2028년 2월에는 WLP 라인까지 순차적으로 준공하는 것을 목표로 공사가 진행된다. AI 반도체 시장은 그동안 HBM(고대역폭메모리)을 중심으로 성장해왔다. 그러나 최근에는 칩 성능뿐 아니라 칩 간 연결 구조와 집적 방식을 포함한 패키징 기술이 전체 성능을 좌우하는 핵심 요소로 부상하고 있다. 특히 GPU(그래픽처리장치)와 메모리를 고밀도로 결합하는 구조에서는 패키징 기술이 곧 성능과 직결된다. 이 과정에서 전력 효율, 발열 관리, 데이터 처리 속도까지 패키징 단계에서 결정되는 비중이 커지고 있다. 이번에 착공한 P&T7은 패키징과 테스트(P&T)를 전담하는 생산시설로 AI 메모리 생산의 마지막 단계이자 품질을 결정짓는 핵심 공정 시설이다. 총 23만㎡ 규모로 조성되는 이 시설은 웨이퍼레벨패키징(WLP)과 웨이퍼 테스트(WT) 라인을 포함한 대규모 클린룸을 갖추게 된다. 이는 단순 생산시설이 아니라 첨단 패키징을 대량으로 처리할 수 있는 산업형 인프라 구축이라는 점에서 의미가 크다. 특히 HBM과 같은 고부가 메모리 제품은 패키징 공정 난이도가 높은 만큼 안정적인 후공정 생산능력 확보가 경쟁력으로 직결된다. SK하이닉스의 이번 투자는 사업 구조 변화와 맞닿아 있다. 기존에는 메모리 칩 생산이 핵심이었다면 이제는 패키징까지 포함한 통합 메모리 솔루션으로 경쟁력이 이동하고 있다. 이는 엔비디아 등 AI 칩 설계 기업과의 협력 구조에서도 중요한 요소다. 메모리 공급을 넘어 패키징까지 최적화된 형태로 제공해야 경쟁에서 우위를 확보할 수 있기 때문이다. 청주를 선택한 배경도 전략적이다. 기존 M11, M12, M15, M15X 등 생산시설과의 연계를 통해 하나의 메모리 클러스터를 구축할 수 있기 때문이다. 이처럼 인접 생산거점을 통한 시너지 확보는 생산 효율성과 물류 경쟁력을 동시에 높이는 효과를 낸다. 완공 이후 청주는 SK하이닉스의 AI 메모리 생산을 총괄하는 핵심 거점으로 자리잡을 가능성이 크다. 또한 수도권 중심 산업 구조를 지방으로 분산하려는 전략적 판단도 반영된 것으로 보인다. P&T7은 지역 경제에도 상당한 영향을 미칠 전망이다. 공사 기간 동안 최대 9000명 규모의 인력이 투입되고 완공 이후에도 약 3000명의 상시 인력이 근무할 예정이다. 이와 함께 협력사 유입과 산업단지 활성화가 동시에 이뤄지면서 지역 산업 생태계 전반이 확장될 것으로 기대된다. 특히 SK하이닉스는 기술 개발, 금융 지원 등 동반성장 프로그램을 확대해 협력사 경쟁력 강화에도 나설 계획이다. AI 반도체 경쟁은 중장기적으로 단순 칩 성능을 넘어 패키징 기술까지 포함한 종합 경쟁으로 확대될 가능성이 크다. HBM으로 대표되는 메모리 경쟁이 전공정 중심이었다면 앞으로는 후공정까지 포함한 완성도 경쟁으로 이동하는 흐름이다. SK하이닉스의 P&T7 투자는 이러한 변화에 선제적으로 대응하기 위한 움직임으로 평가된다. 특히 대규모 패키징 생산능력을 확보할 경우 글로벌 AI 메모리 시장에서 공급 안정성과 기술 경쟁력을 동시에 강화할 수 있다. SK하이닉스 관계자는 "과거 반도체 산업은 전공정과 후공정이 비교적 분리된 구조였지만 미세공정 고도화가 한계에 가까워지면서 성능 개선의 무게 중심이 패키징 등 후공정 영역으로 이동하고 있다"며 "AI 메모리 경쟁에서도 패키징 기술이 핵심 차별화 요소로 부상한 만큼 관련 투자를 확대하고 있다"고 설명했다. 이어 "이천과 청주 등 기존 생산 거점에서도 전공정과 후공정을 연계해 운영해왔으며 이번 P&T7 역시 생산과 패키징을 유기적으로 결합해 처리 효율을 높이기 위한 전략의 연장선"이라며 "HBM 등 고부가 제품 대응을 위해서는 생산과 패키징 간 연계가 필수적인 만큼 청주를 중심으로 통합 생산 체계를 강화해 나갈 것"이라고 말했다.2026-04-22 16:48:48
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'메모리 돈잔치'에 갈라진 삼성…성과주의가 발목 잡았다, 파운드리 전략과 '보상 충돌' [경제일보] 국내 최대 기업 삼성전자의 메모리사업부와 파운드리사업부 간 성과급 격차가 단순 보상 논란을 넘어 반도체 전략과 보상 체계 간 구조적 충돌로 확산되고 있다. 이는 단기 실적 중심의 성과주의 체계가 장기 투자 사업인 파운드리와 맞지 않으면서 내부 갈등과 경쟁력 저하 우려를 동시에 키우고 있다는 분석이다. 삼성전자 내부에서 메모리사업부와 파운드리사업부 간 성과급 격차로 촉발된 노노(勞勞) 갈등이 단순 보상 문제를 넘어 반도체 사업 구조 전반의 모순을 드러내고 있다. 단기 실적 중심의 보상 체계가 장기 투자가 필수적인 파운드리 사업과 맞지 않으면서 전략과 보상의 엇박자가 심화되고 있다는 평가다. 22일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 DS(반도체) 부문 내에서는 최근 사업부 간 성과급 차이를 둘러싼 내부 갈등이 확산되고 있다. 특히 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가로 실적이 빠르게 개선된 메모리사업부와 달리 파운드리·시스템LSI 사업부는 수년째 적자가 이어지며 보상 격차가 극명하게 벌어지는 상황이다. 문제는 두 사업의 구조적 차이다. 메모리는 업황 반등 시 수익이 빠르게 개선되는 반면 파운드리는 첨단 공정 투자와 고객 확보, 수율 안정까지 오랜 시간이 소요되는 대표적인 장기 투자 산업이다. 초기에는 적자를 감수하더라도 지속적인 투자로 경쟁력을 확보해야 하는 구조다. 그러나 삼성전자의 초과이익성과급(OPI) 체계는 사업부별 실적에 직접 연동되는 구조로 설계돼 있어 단기 수익성이 높은 메모리에 유리하고 장기 투자 단계에 있는 파운드리에는 불리하게 작용한다는 지적이 나온다. 파운드리는 적자를 감수하면서도 장기간 투자를 통해 경쟁력을 확보해야 하는 전략 사업인 반면 현재 보상 구조는 단기 실적 중심으로 설계돼 있어 메모리사업부와의 격차가 내부적으로 더 크게 체감될 수밖에 없다는 분석이 나온다. 이로 인해 구성원들 사이에서는 회사가 제시하는 전략 방향과 실제 보상 체계 간 괴리가 존재한다는 인식이 확산되고 있는 것으로 보인다. 이 같은 구조는 인력 운영 측면에서도 부담 요인으로 작용할 수 있다. 성과급 격차가 고착화될 경우 파운드리 사업부의 사기 저하뿐 아니라 우수 인력 확보와 유지에도 어려움이 발생할 수 있기 때문이다. 실제 내부에서는 파운드리 배치 인력 사이에서 상대적 박탈감이 확대되고 있다는 목소리도 나온다. 특히 삼성전자가 지난 2017년 5월 조직개편을 통해 파운드리사업부를 DS부문 산하 독립 사업부로 분리하는 과정에서 통합 채용 후 사업부로 배치되던 당시 입사자들 중 일부는 본인 의사와 무관하게 파운드리로 이동한 사례도 있었던 것으로 전해진다. 이 같은 과거 인사 배치가 현재의 성과급 격차와 맞물리며 해당 구성원들의 보상에 대한 불만을 키우는 요인으로 작용하고 있다는 분석이다. 결국 이번 사안은 삼성전자가 추진 중인 시스템반도체·파운드리 육성 전략과 내부 보상 체계 간 구조적 충돌로 이어지고 있다는 점에서 주목된다. 메모리 중심 수익 구조에서 벗어나기 위해 파운드리 경쟁력 확보가 필수적이지만 내부 보상 시스템이 이를 뒷받침하지 못하고 있다는 지적이다. 이에 따라 업계에서는 사업부별 실적 중심의 기존 보상 체계를 전사 공통 성과와 병행하는 방식으로 개편해야 한다는 목소리도 나온다. 단기 수익과 장기 전략 사업 간 균형을 맞추지 못할 경우 조직 내부 갈등을 넘어 미래 경쟁력에도 영향을 미칠 수 있다는 우려에서다. 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 "사업부 간 실적 격차에 따라 영업이익의 10~15% 수준을 성과급으로 차등 지급하는 구조는 조직 전반의 혼란을 초래할 수 있다"며 "특정 사업부에 보상이 집중될 경우 내부 위화감은 물론 대외적으로도 부담 요인으로 작용할 가능성이 있다"고 말했다. 이어 "파운드리와 같이 장기 투자가 필요한 사업 특성을 감안해 보다 현실적인 성과 보상 체계를 마련할 필요가 있다"고 덧붙였다.2026-04-22 16:32:51
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