2026.10.23 금요일
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트럼프, 29일 경주서 이재명 대통령과 회담...'한미 무역합의 주목' 도널드 트럼프 미국 대통령이 오는 29일 한국을 방문해 이재명 대통령과 회담을 갖는다. 백악관은 23일(현지시간) 트럼프 대통령의 아시아 순방 일정을 공식 발표했다. 캐롤라인 레빗 백악관 대변인은 브리핑을 통해 “트럼프 대통령이 29일 오전 부산으로 이동해 대한민국 대통령과 양자 회담을 가진 뒤 아시아태평양경제협력체(APEC) CEO 오찬에서 기조연설을 하고 정상 실무만찬(working dinner)에 참석할 예정”이라고 밝혔다. 한미 정상 간 대면은 지난 8월 워싱턴에서 열린 첫 회담 이후 두 번째다. 다만 복수의 한국 정부 관계자들에 따르면 양국 정상회담은 부산이 아닌 APEC 정상회의 개최지인 경주에서 진행될 가능성이 높은 것으로 전해졌다. 트럼프 대통령은 방한 당일 한미 정상회담과 APEC 일정을 소화한 뒤 다음날 시진핑 중국 국가주석과 회담을 갖고 워싱턴DC로 복귀할 예정이다. 이번 방한 일정은 1박 2일 일정으로 확정됐다. 이번 한미 정상회담에서는 막바지 조율 중인 양국 간 무역 합의가 주요 의제로 다뤄질 전망이다. 3500억 달러(약 500조원) 규모의 대미 투자 패키지에서 현금 투자 비중과 자금 공급 기간 등이 최종 쟁점으로 남아 있다. 또한 미중 무역 갈등이 지속되는 가운데, 희토류·관세·농산물(대두) 등 민감한 현안을 두고 트럼프 대통령과 시 주석이 어떤 접점을 마련할지도 관심사다. 트럼프 대통령은 이번 순방에서 말레이시아(26일), 일본(27~28일)을 거쳐 29일 한국에 도착하며, 31일부터 이틀간 경주에서 열리는 APEC 정상회의 본회의에는 불참할 것으로 알려졌다.2025-10-24 07:45:05
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![[현장] SEDEX 2025, 삼성·하이닉스 나란히 HBM4 공개…AI 메모리 각축전](https://image.ajunews.com//content/image/2025/10/23/20251023175839731007_518_323.jpg)
[현장] SEDEX 2025, 삼성·하이닉스 나란히 HBM4 공개…AI 메모리 각축전 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM4’를 나란히 공개했다. 인공지능(AI) 수요 확대 속에서 HBM 시장이 빠르게 성장하고 있는 가운데 양사는 기술력을 전면에 내세우며 관람객의 관심을 끌었다. 23일 방문한 ‘SEDEX(반도체 대전) 2025’에는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 장비·소재 기업 등 230여 개사가 참가했다. 서울 삼성동 코엑스에서 진행 중인 SEDEX 2025는 메모리·시스템반도체부터 소재·부품·장비, 센서, 설비 분야까지 아우르는 국내 최대 규모 반도체 전문 전시회다. 한국반도체산업협회(KSIA)가 주최한다. 이날 삼성전자는 첫 HBM4 실물을 공개하며 속도로 승부수를 던졌다. 반면 SK하이닉스는 16단 HBM4의 완성도를 내세웠다. 이번 전시에는 230여 개사가 참가했으며 많은 관람객의 발걸음은 단연 핵심 부품인 HBM으로 향했다. 삼성전자는 이번 SEDEX2025에서 HBM4 실물을 국내 최초로 공개했다. 이번 제품은 11Gbps(기가비트/초)의 I/O 속도와 2.8TB/s(테라바이트/초)의 대역폭, 36GB 용량을 구현했다. 이는 국제반도체표준협의회(JEDEC) 기준(8Gbps, 2.0TB/s)을 넘어서는 수치다. 삼성전자는 기존 HBM3E에서 메모리 공정을 적용했으나 HBM4부터는 로직 공정을 활용해 전력 효율과 안정성을 동시에 개선했다. 현재 삼성전자는 HBM4 엔지니어링 샘플(ES)을 엔비디아에 공급해 퀄리피케이션 테스트를 진행 중이다. 업계에서는 이번 제품이 발열 문제를 해소한 만큼 엔비디아 차세대 AI 가속기 루빈의 주요 공급 후보로 꼽힌다. SK하이닉스는 16단 HBM4 실물을 공개했다. 최대 용량 48GB, I/O 속도 8Gbps, 대역폭 2.0TB/s 등 JEDEC 표준 사양을 제시하며 안정성과 양산 완성도를 강조했다. 표준 스펙을 택하며 양산 효율과 발열 안정성을 강화한 완성형 HBM 전략을 지향한 것이다. 하이닉스는 이번 전시회에서 HBM 외에도 차세대 메모리 포트폴리오를 대거 공개했다. AI 서버와 노트북용으로 각각 설계된 SoCAMM2(서버용 모듈), LPCAMM2(저전력 D램 모듈)를 비롯해, Z-UFS 4.1(차세대 모바일 스토리지)와 GDDR7(그래픽용 D램) 등도 선보였다. 현재 SK하이닉스는 엔비디아 H200·B200 GPU용 HBM3E를 주력 공급하며 시장 점유율 50% 이상을 유지 중이다. 업계는 HBM4 세대에서도 이 리더십이 이어질 것으로 보고 있다. 업계 관계자는 "엔비디아와 먼저 협업한 SK하이닉스가 초기 시장에서 조금 더 유리한 위치를 점할 것으로 보인다"면서도 "삼성전자 역시 속도와 성능을 내세워 공급 가능성을 높이고 있으며 엔비디아는 가격과 리스크 분산 차원에서 여러 공급처에서 물량을 확보하려 할 것"이라고 설명했다. 한편 SEDEX 2025는 오는 24일까지 진행된다.2025-10-23 18:12:13
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머스크 "삼성, 테슬라 AI6 이어 AI5 칩도 공동 생산" 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 자율주행용 인공지능(AI) 칩셋 ‘AI5’ 생산에 삼성전자가 참여한다고 공식 확인했다. 최근 수주가 알려진 차세대 칩셋 ‘AI6’뿐 아니라 그 이전 세대인 AI5도 TSMC와 공동 생산한다는 의미다. 머스크는 22일(현지시간) 열린 테슬라 3분기 실적 발표 후 컨퍼런스콜에서 “이번 기회에 명확히 하고 싶다”며 “AI5 칩은 TSMC와 삼성전자 모두 제조하게 될 것”이라고 밝혔다. 기존에는 테슬라의 5세대 자율주행 칩셋 AI5를 TSMC가 전량 생산하고 삼성은 이전 세대인 AI4와 차세대 AI6만 맡는 것으로 알려져 있었다. 그러나 머스크가 이를 직접 부인하면서 삼성의 테슬라 칩 생산 비중이 확대된 것으로 해석된다. 머스크는 “AI5 칩의 과잉 공급 확보가 명확한 목표”라며 “차량과 로봇에 쓰이는 AI 칩이 남을 경우 데이터센터에 활용할 수 있다”고 설명했다. 이어 “엔비디아를 대체하려는 것은 아니지만 테슬라는 자체 수요만 충족하면 된다”고 덧붙였다. 테슬라의 5세대 오토파일럿 칩 AI5는 2026년 말 양산이 예상되며 최대 2500TOPS(초당 1조 회 연산) 성능을 목표로 한다. 차세대 AI6는 2027~2028년 출시가 목표로 최대 6000TOPS 성능을 구현할 것으로 전해졌다. 앞서 머스크는 지난 7월 자신의 SNS ‘엑스(X·옛 트위터)’를 통해 “삼성의 텍사스 테일러 공장이 테슬라 차세대 AI6 칩 생산에 전념할 것”이라고 밝힌 바 있다. 그는 “현재 삼성전자가 AI4를 생산 중이며 AI5는 TSMC가 대만에서 첫 생산 후 애리조나 공장에서 이어질 예정”이라고 말해 AI5의 TSMC 단독 생산설이 확산된 바 있다. 삼성전자는 테슬라 외에도 엔비디아, AMD, 인텔 등 글로벌 팹리스 기업들의 첨단 AI 반도체 생산 파트너십을 확대하며 파운드리 사업 외연을 넓히고 있다.2025-10-23 09:08:51
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![[현장] 송재혁 삼성전자 CTO 경계 넘는 협업이 반도체 혁신 이끌어](https://image.ajunews.com//content/image/2025/10/22/20251022163332342781_518_323.jpg)
[현장] 송재혁 삼성전자 CTO "경계 넘는 협업이 반도체 혁신 이끌어" "혁신은 각기 다른 곳에 있던 사람들이 같은 아이디어를 가지고 모일 때 일어났다. 반도체 산업도 마찬가지다." 송재혁 삼성전자 반도체(DS) 부문 최고기술책임자(CTO)는 22일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 제27회 반도체대전(SEDEX 2025)에서 이같이 말했다. 이날 '시너지를 통한 혁신'을 주제로 기조 강연을 진행하며 기술 간 협업과 통합이 반도체 발전의 핵심 동력임을 강조했다. 송 CTO는 특히 "실리콘이 할 수 있는 것도 벽을 만나기 시작했다"며 "실리콘 원자가 줄어들면 기존의 설계 기반 시뮬레이션 툴이 상당히 영향을 받을 것"이라고 설명했다. 이를 극복하기 위한 방법으로 '경계를 넘는 협업'을 제시했다. 그는 "실리콘의 기술 한계가 온다는 전제로 고객이 원하는 파워, 성능, 면적당 효율을 공급하기 위한 다양한 패키지 기술들도 개발돼야 한다"며 "실제 업계는 칩이 평평하다가 세우고, 이제는 붙이고 쌓는 과정으로 발전하고 있다"고 말했다. 이어 "D램에서도 곧 버티컬 채널 트랜지스터(VCT) 기술이 등장할 것"이라며 "D램은 V낸드가 갔던 길처럼 가야 채널을 세웠을 때 대비 혁신적으로 칩 크기를 줄일 수 있을 것"이라고 설명했다. 이제는 '붙이는' 단계다. 송 CTO는 "이제는 셀과 셀을 붙이는 것은 이미 상용화된 기술이고 로직은 백사이드에서 파워를 공급해서 효과적으로 배터리를 쓰려고 노력하다 보니 역시 붙여야 되는 경우들이 생기고 있다"고 말했다. 마지막 단계는 '쌓는' 것이다. 그는 "로직도 이제는 트랜지스터로 쌓여야 하는 방향으로 잡고 가고 있다"며 "칩렛이 끝판왕이 될 것"이라고 전망했다. 그는 "칩렛으로 연결된다는 것은 실리콘이 할 수 있는 것도 벽을 만난다는 의미"라고 덧붙였다. 삼성전자는 이러한 기술적 한계를 극복하기 위해 내부 조직 간 융합을 강화하고 있다. 송 CTO는 "삼성은 전 세계에서 D램, 낸드, 로직, CIS, 패키지까지 전 라인업을 갖춘 유일한 기업"이라며 "예전에는 너무 많은 부담이 아닌가 생각했지만 지금은 오히려 더 좋은 시너지를 낼 수 있을 것 같다"고 말했다. 실제로 삼성 내부에서는 기술 융합이 활발히 진행 중이다. 송 CTO는 "본딩, 하이 퍼포먼스 트랜지스터, 파인 패턴 같은 카테고리로 묶으면 D램, 플래시, 로직, 어드밴스드 패키지가 동일한 성격의 기술들로 조합돼 각 팀이 협업하고 있다"고 설명했다. 특히 AI 시대를 맞아 변화가 가속화되고 있다. 그는 "플래시까지도 상당한 스피드를 요구하고 있다"며 "로직, D램, 플래시가 함께 일하면서 특정 기술이 각 분야에 적용되는 데 수정이 필요하지만 전혀 다른 과목이 아닌 것 같다"고 말했다. 송 CTO는 반도체 기술이 예상 밖의 분야와 연결되고 있다고 밝혔다. 그는 "웨이퍼 레벨의 휨, 패키지 휨 등 모든 부분이 응력(stress) 방정식으로 설명된다"며 "요즘 그런 생각이 든다. 삼성반도체가 지진 전문가를 좀 채용해야 하지 않을까"라고 말했다. 이어 "예전에는 10개 부서가 일을 했으면 되는데 이제는 20개, 30개 부서가 같이 일을 해야만 발생될 수 있는 기술적 난이도가 되고 있다"며 마지막으로 "그런 의미에서 소자, 공정, 소재 등 다양한 분야의 업체와 학계, 산업계와 기술 개발을 하고 싶다"고 밝혔다.2025-10-22 17:26:58
